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个税起征点调至5000元 9月迟发工资也按新标准计税 发展第三代半导体,别让基础研究成“绊脚石”
您当前的位置 :首页 > 影视 正文 来源: rmch816.cn 太仓新闻网 发布时间:
2020-3-9

  10月1日起工资、薪金所得执行5000元/月起征点

  个税新变化红利有多少?(理财参谋)

  从本月起不少细心的职工发现个人工资条上的扣税发生了明显变化。新修改的〖个人所得税法〗(简称“新税法”)规定此次个税改革将采取“一次修法、两步实施”的方式第一阶段将在2018年10月1日至12月31日执行减除费用调高、税率表调整两项规定;第二阶段即明年1月1日起将全面实行综合申报、专项附加扣除、预扣预缴、汇算清缴制度等新税法全部内容。很多人都想知道从10月开始的个税改革过渡期内税负会有哪些明显变化?自我本月的收入是否马上就能享受起征点上调的利好?

  根据税务部门的相关规定对于2018年10月1日(含)后实际取得的工资、薪金所得以及第四季度的经营所得收入减除费用统一按照5000元/月执行并按照新的个人所得税税率表计算应纳税额。

  具体执行时10月1日这个时间点很关键。例如某单位考虑国庆节放假因素将本应10月份发放的工资提前在9月底发放因实际发放时间在9月份依照税法规定只能按照3500元/月的减除费用标准计算个人所得税;而且按照税法规定9月份假如发放两笔工资需合并计税。

  又如今年10月1日(含)后将实行5000元/月的减除费用标准某单位将本应9月份发放的工资延后到10月份发放同时10月正常发放当月工资由此造成该单位职工10月份取得两笔工资。依照新税法规定工资薪金所得以每月收入额减除费用5000元及相关扣除后的余额为应纳税所得额并适用按月度换算的新税率表但计税时需要将职工当月取得的两笔工资合并只能扣除一个5000元/月的减除费用标准计税。

  相比时间点的划分普通工薪阶层可能更关心:起征点的上调与税率变化到底能带来多大减税利好?自我发到手的钱是否能够有所增加?

  税务部门的测算显示从减税效果来看假定某人取得8000元的工资收入缴纳可税前扣除的三险一金1500元后纳税人所适用税率从税改前的10%降为3%缴纳税额从195元降为45元降幅达76.9%;若取得2万元的工资收入扣除2200元的三险一金后纳税人适用税率从25%降为20%缴纳税额从税改前的2570元下降为1150元降幅达55.3%。假如考虑到明年1月1日施行的综合申报、专项附加扣除等内容纳税人的税负还将进一步减轻。

  此次个税改革首次设立专项附加扣除是改革的突出亮点围绕与群众生活密切相关的支出领域在现行税法基本养老、医疗、失业保险金与住房公积金税前扣除的基础上额外增加子女教育、继续教育、大病医疗、住房贷款利息或住房租金、赡养老人等6项专项附加扣除将进一步增强税制的公平合理性。

  吴秋余

  “宽禁带半导体就像一个小孩还没长好就被拉到市场上去应用。”在11月8日至9日召开的香山科学会议上中科院院士、中科院半导体所研究员夏建白打的比方引起不少与会专家的共鸣。

  夏建白所说的宽禁带半导体又被称为第三代半导体氮化镓、碳化硅、氧化锌、金刚石等材料是其主要代表。

  假如说以硅为代表的第一代半导体是集成电路的基石第二代半导体如砷化镓促成了信息高速公路的崛起的话那么第三代半导体材料技术正在成为抢占下一代信息技术、节能减排及国防安全制高点的最佳途径之一是战略性新兴产业的重要组成内容。

  现在的问题是快速发展的第三代半导体相关产业特别是深紫外发光与激光领域被基础研究绊住了脚。

  上帝的礼物还是难题?

  假如你依然对第三代半导体材料感到陌生可以抬头看看家中无处不在的LED(发光二极管)灯。

  氮化镓基蓝光LED的发明使高效白光LED照明得以实现引起了人类照明光源的又一次革命。日本科学家赤崎勇、天野浩与美籍日裔科学家中村修二也因该工作获得了2014年诺贝尔物理学奖。

  北京大学物理学院教授沈波说氮化镓基蓝光LED的发明就像“上帝的礼物”降临人间然而随着相关应用快速推向市场人们逐渐发现这个礼物里藏着很多难题。

  难题何来?

  夏建白告诉记者第一代半导体硅经过几十年的发展产业发展与基础研究齐头并进基础扎实。相比之下日本人开始研究第三代半导体时很多人认为氮化镓材料的缺陷太多难以做成高效光电器件。没想到日本竟然把蓝光LED做出来了紧跟着就是市场的快速爆发。

  “市场发展非常快基础研究却跟不上了。”夏建白说这是目前第三代半导体发展面临的困境。

  中科院长春光学精密机械与物理研究所研究员刘可为把氮化镓基蓝光LED的发明比作做蛋糕。蛋糕做出来了它的美味得到市场认可但其中很多原理却不太清楚因此当市场需要更美味的蛋糕时遇到了麻烦。

  市场倒逼基础研究加速

  氮化镓基蓝光LED仅仅是一个开端第三代半导体的确有潜力做出更大、更美味的蛋糕。

  “第三代半导体材料除具有优异的光电特性外还具有击穿电场高、热导率高、电子饱与速率高、抗辐射能力强、介电常数低等优越性能。”中科院长春光学精密机械与物理研究所研究员申德振介绍因此它们在短波发光、激光、探测等光电子器件与高温、高压、高频大功率的电子电力器件领域有广阔应用前景。

  其用武之地不胜枚举:在节能电力电子领域有半导体照明、智能电网、高速列车等;在信息工程领域有可见光通讯、海量光存储、高速计算等;在国防建设领域有紫外探测器、微波器件等。

  以发光与激光领域为例申德振介绍第三代半导体在高性能的紫外、深紫外发光与激光在生化探测、杀菌消毒、精密光刻、高精密激光加工等领域有重大应用价值。

  “但在蓝光之后想将第三代半导体往波长更短的紫外、深紫外发光与激光方向应用时却发现还有很多重大的科学问题尚待解决。”刘可为说这些重大的科学问题包括第三代半导体的P型掺杂、第三代半导体的点缺陷问题以及大尺寸、高精度的衬底制备技术等。

  可以说市场应用在倒逼基础研究加快进度。

  刘可为告诉记者仅就蓝光LED而言目前国内产业规模巨大核心专利与技术集中在日本与美国。但整体而言国内外对第三代半导体的基础研究都相对薄弱。

  “我国应加大在第三代半导体紫外、深紫外发光与激光等领域的投入解决该领域的核心科学与技术难题争取拥有更多具有自主知识产权的核心技术。”申德振说。(记者刘园园)

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